Rekor Baru Kecepatan Transistor

Dunia teknologi menuntut kecepatan tinggi. Gadget masa kini bisa didapat lebih murah namun tetap punya performa kuat berkat jasa transistor silikon. Para peneliti dari University of Southampton mencetak rekor dunia baru sehubungan dengan kecepatan transistor ciptaan mereka.

Cara yang dilakukan untuk menambah kemampuan transistor mereka adalah dengan menanamkan zat fluorin ke dalamnya. Hal tersebut bukanlah cara yang sulit. “Itu cuma teknologi standar yang hanya butuh satu langkah saat dikembangkan,” kata Profesor Peter Ashburn di University of Southampton.

Transistor adalah komponen yang bersama diode, resistor, dan kapasitor, membentuk sebuah chip. Chip dapat ditemui pada beberapa alat elektronik seperti komputer, telepon selular, dan pemutar MP3. Ada pula gadget yang menggunakan mikrocip, yaitu cip berukuran superkecil.

Transistor bipolar terbentuk atas tiga lapis materi semikonduktor. Materi yang dimasukkan pada lapisan tengah tersebut mempengaruhi kecepatan arus aliran elektron.

Untuk membuat transistor berkecepatan tinggi bisa menggunakan bahan seperti gallium arsenit atau campuran silikon germanium. Namun, bahan tersebut membutuhkan biaya yang besar.

Saat ini dibutuhkan transistor kecepatan tinggi tapi dengan biaya manufaktur yang murah serta tahan lama. Profesor Ashburn dan para pelajar dari STC Microelectronic menawarkan satu solusi. Mereka menanamkan bahan kimia bernama boron di dalamnya. Bahan ini dikenal juga dengan nama borax yang biasa dibuat campuran insektisida nontoxic.

Masalah ditemui ketika pengaplikasian. Untuk membuat transistor dengan bahan tersebut, dibutuhkan proses manufaktur bertemperatur tinggi. Hal ini menyebabkan terjadinya difusi pada boron dan berakibat penebalan yang memperlambat kerja transistor.

Untuk mengatasi masalah ini, para peneliti menambahkan bahan fluorin lewat proses penanaman ion. Proses ini dilakukan dengan cara menembakkan atom dari fluorin pada lapisan silikon, di mana transistor menjadi targetnya.

Proses tersebut mengisi area yang kosong dari atom silikon sehingga menanggulangi difusi boron. Maka, terciptalah lapisan yang lebih tipis dan menyebabkan peningkatan kecepatan pada transistor.

Ketika dilakukan uji coba pada transistor baru, tercatat kecepatannya mencapai 110 GHz. “Tidak ada buku rekor yang mencatat untuk kategori ini. Tapi berdasarkan literatur yang ada, ini yang paling cepat,” kata Profesor Ashburn.

Rekor sebelumnya dicetak oleh pabrik elektronik Philips yang membuat transistor dengan kecepatan mencapai 70 GHz. Komponen jenis baru ini sedang dikembangkan oleh partner dari Profesor Ashburn yaitu STC Microelectronic di Italia.

Meskipun sirkuit yang terbentuk dari transistor tersebut tidak bersumber dari alat baru, namun Profesor Ashburn menyatakan kemampuannya tetap sama. Alat itu dapat digunakan di kamera digital atau scanner untuk meningkatkan kemampuan alat dalam mengubah proyeksi gambar menjadi piksel. (yon/bbc)

Sumber: Jawa Pos, Selasa, 22/08/2006

Explore posts in the same categories: Artikel, Iptek

Leave a Reply

Fill in your details below or click an icon to log in:

WordPress.com Logo

You are commenting using your WordPress.com account. Log Out / Change )

Twitter picture

You are commenting using your Twitter account. Log Out / Change )

Facebook photo

You are commenting using your Facebook account. Log Out / Change )

Google+ photo

You are commenting using your Google+ account. Log Out / Change )

Connecting to %s


%d bloggers like this: